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商業(yè)機會 產(chǎn)品大全 企業(yè)名錄 我商務中心 | 網(wǎng)址:chenlidianzi.qy6.com 第四代半導體工藝設(shè)備 氧化鎵退火爐_青島晨立電子有限公司 手機站
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產(chǎn)品目錄

第四代半導體工藝設(shè)備 氧化鎵退火爐

詳細說明

    用途:



新型的寬禁帶半導體材料,氧化鎵(Ga2O3)由于自身的優(yōu)異性能,憑借其比第三代半導體材料SiC和GaN更寬的禁帶,在紫外探測、高頻功率器件等領(lǐng)域吸引了越來越多的關(guān)注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導體,禁帶寬度Eg=4.9eV,其導電性能和發(fā)光特性良好,因此,其在光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。



青島晨立生產(chǎn)的氧化鎵退火爐主要適用于科研單位、高等院校、研究機構(gòu)及企業(yè)。主要用于2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。

 
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