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廣州回收AVAGO芯片電源模塊 隨著采用傳統(tǒng)2D平面制程技術(shù)的NAND Flash即將NAND Flash大廠紛紛開始采用3D堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（Macronix）在2006年提出Multi TFT（Thin Film Transistor）的堆疊NAND設(shè)計概念，同年Samsung也發(fā)表Stacked NAND堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表BiCS，2009年東芝發(fā)表P-BiCS、三星發(fā)表TCAT、VG-NAND與VSAT，2010年旺宏發(fā)表VG TFT，2011發(fā)表PNVG TFT，同年Hynix也發(fā)表Hybrid 3D技術(shù)。2010年VLSI研討會，旺宏公布以75納米制程，TFT BE-SONOS制程技術(shù)裝置的VG（垂直閘） 3D NAND技術(shù)。預(yù)計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。
三星（Samsung）同樣于2006年發(fā)表Stacked NAND，2009年進一步發(fā)表垂直通道TCAT與水平通道的VG-NAND、VSAT。2013年8月，三星發(fā)布名為V-NAND的3D NAND Flash芯片，采用基于3D CTF（Charge Trap Flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 Gb的容量，比目前20nm平面NAND Flash多兩倍，可靠性、寫入速度也比20nm制程NAND Flash還高。三星目前在3D-NAND Flash應(yīng)用進度其他業(yè)者，V-NAND制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其V-NAND目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年第四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料中心制造商進行測試。
東芝（Toshiba）以2009年開發(fā)的BiCS—3D NAND Flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z納米技術(shù)的Flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3D NAND Flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（SanDisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預(yù)計2014年Q3完工，Q3順利進入規(guī)�；a(chǎn)。而SK海力士與美光（Micron）、英特爾（Intel）陣營，也明確宣告各自3D NAND Flash的藍圖將接棒16納米，計劃于2014年Q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。
由于3D NAND Flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2D平面NAND Flash需要更長時間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3D NAND Flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設(shè)備與儲存市場上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。
移動設(shè)備的快閃存儲器容量、速率進展
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