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求購單晶硅片的生長方法東莞單晶硅回收公司

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公　司：東莞電池片回收公司

發(fā)布時間：2015年01月14日

有效期：2015年07月16日

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邵先盛先生 (經理)

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硅單晶的生長方法，有直拉法、區(qū)域熔化法、布里奇曼法、枝蔓生長法和氣相沉積生長法等。目前半導體材料工業(yè)上廣泛應用攀，趕區(qū)熔法（即FZ法）兩種。
(1)直拉單晶硅的生長
19 17年，喬赫拉斯基為了確定金屬的結晶生長速度，將奈欽*先用來從熔體中生長鄰羥基甲酸苯酯單晶的方法改進并引用到金屬方面，后來又經過許多人的不斷改進，才呈現(xiàn)今天的面貌，因此，后人為了紀念喬堪薩斯基，就取名為“喬赫拉斯基生長法”，簡稱“直拉法”用英文字母“CZ”來表示。
叉子母"l。，<）拉法通過直拉單晶硅爐裝置，采用電阻式，將盛放在高純石英坩堝內的多晶硅原料f塊狀，高溫瘁化，使溶液溫度保持在比回收硅片硅熔點稍高一點的狀態(tài)，把安裝在拉晶軸下端的籽晶緩慢插入溶液，待籽晶與溶液完全接觸吻合后，降低熔體溫度，然后在在籽晶與石英坩堝作相反方向旋轉的同時，慢慢地向上提拉籽晶，實現(xiàn)單晶硅的直接拉制的生長過程，所以，簡稱為直拉法即CZ法d
(2)區(qū)熔單晶硅的生長
將事先準備好的棒狀多晶硅料，按工藝技術要求裝入區(qū)熔單晶爐內，同時，在爐內的籽晶夾頭里安裝籽晶，關好爐門抽真空至一定程度后，適時向爐膛內通人高純氬氣，，移動加媽熬線圈，致多晶硅料局部熔化并形成熔區(qū)，使熔區(qū)從多晶硅棒的一端移動到另一端，熔早區(qū)在“籽晶種子”的引導下，生長成單晶，就叫區(qū)熔單晶硅即FZ單晶硅。圖0-6為區(qū)熔法單晶硅生長示意蓋。（東莞硅片硅料回收企業(yè)發(fā)布）

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