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| 日本進(jìn)口氧化鎂MgO靶 隧道磁電阻TMR |
隧道磁電阻效應(yīng) 編輯 討論 上傳視頻
鐵磁薄片的磁化方向可以在外磁場(chǎng)的控制下被獨(dú)立的切換。如果極化方向平行，那么電子隧穿過(guò)絕緣層的可能性會(huì)更大，其宏觀表現(xiàn)為電阻�。蝗绻麡O化方向反平行，那么電子隧穿過(guò)絕緣層的可能性較小，其宏觀表現(xiàn)是電阻極大。因此，這種結(jié)可以在兩種電阻狀態(tài)中切換，即高阻態(tài)和低阻態(tài)。
隨著GMR效應(yīng)研究的深入，TMR效應(yīng)開(kāi)始引起人們的重視。盡管金屬多層膜可以產(chǎn)生很高的GMR值，但強(qiáng)的反鐵磁耦合效應(yīng)導(dǎo)致飽和場(chǎng)很高，磁場(chǎng)靈敏度很小，從而限制了GMR效應(yīng)的實(shí)際應(yīng)用。MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層間耦合，只需要一個(gè)很小的外磁場(chǎng)即可將其中一個(gè)鐵磁層的磁化方向反向，從而實(shí)現(xiàn)隧穿電阻的巨大變化，故MTJs較金屬多層膜具有高得多的磁場(chǎng)靈敏度。同時(shí)，MTJs這種結(jié)構(gòu)本身電阻率很高、能耗小、性能穩(wěn)定。因此，MTJs無(wú)論是作為讀出磁頭、各類傳感器，還是作為磁隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)，都具有無(wú)與倫比的優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用前景十分看好，引起世界各研究小組的高度重視。 [1 |
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