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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
| 聯(lián)系人：蒲經(jīng)理
先生 (運(yùn)營經(jīng)理) |
| 電 話：17792574070 |
手 機(jī)：17792574070  |
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| MOSFET、IGBT、DIODE雪崩能力測試中心 |
檢測項(xiàng)目 覆蓋產(chǎn)品 檢測能力 參考標(biāo)準(zhǔn)
直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品； 檢測*大電壓：7500V 檢測*大電流：6000A 國標(biāo)，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測*大電壓：2500V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件 檢測阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
開關(guān)時(shí)間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件； 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
開關(guān)時(shí)間 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標(biāo)，IEC
反向恢復(fù) MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
反向恢復(fù) IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標(biāo)，IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：200A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：4000A 國標(biāo)，IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測*大電壓：1200V 檢測*大電流：1000A 美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產(chǎn)品 檢測*大電壓：2700V 檢測*大電流：10000A 國標(biāo)，IEC
結(jié)電容 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 檢測*大電壓：3000V IEC
參數(shù)曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的I-V、C-V曲線 檢測*大電壓：3000V 檢測*大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C 美軍標(biāo)，IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品 *大功率：250W 美軍標(biāo)，JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產(chǎn)品 *大功率：4000W 美軍標(biāo)，JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 HBM*大電壓：8000V；MM*大電壓：800V 美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流橋 檢測*大電流：800A 美軍標(biāo)，國標(biāo) |
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