正向壽命試驗(yàn)臺(tái)
系統(tǒng)概述
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT）作為功率開(kāi)關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點(diǎn)，
但是由于其長(zhǎng)期工作在高電壓、大電流、高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動(dòng)容易造成器件疲勞老化。目前國(guó)內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測(cè)技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。
技術(shù)指標(biāo)
測(cè)試參數(shù) VF 0.01～20V
0.01～10V±3%±0.01V
10～20V±3%±0.1V
測(cè)試條件 正向電流：1mA～60A 直流方波
脈寬 50uS-1mS
工位 20只
測(cè)試方法 器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后，在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對(duì)被試器件依次進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試間 隔時(shí)間約100m |
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