IGBT吸收電容
產(chǎn)品特點(diǎn)：雙面金屬化薄膜、無(wú)感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感、可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電，ESR小，具有自愈性等。
廣泛用于：變頻器、SVG、混合動(dòng)力車(chē)、逆變焊機(jī)、太陽(yáng)能/風(fēng)力發(fā)電變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線(xiàn)路設(shè)計(jì)，適用所有IGBT模塊區(qū)域尖峰電壓的吸收保護(hù)
咨詢(xún)價(jià)格產(chǎn)品參數(shù)產(chǎn)品試用
額定電壓 700V.DC~3000V.DC
額定容量 0.0047μF~10μF
溫度范圍 -40°C~85°C
容量偏差 ±5%, ±10%
極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃
極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃
損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4
絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S
預(yù)期壽命 100000h at Ur and 70℃
公司同時(shí)生產(chǎn)下列電容產(chǎn)品
鋁電解電容器http://www.vtco.com.cn/lddr/
濾波電容器http://www.vtco.com.cn/lvbo/
薄膜電容器http://www.vtco.com.cn/bmdr/
IGBT吸收電容http://www.vtco.com.cn/jfxs/
電解電容器http://www.vtco.com.cn/lddr/ |
|
手機(jī)站
您當(dāng)前位置是：產(chǎn)品大全 >> 電子元器件 >>
電容器
免責(zé)聲明：以上所展示的信息由會(huì)員自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)，www.qy6.com對(duì)此不承擔(dān)任何責(zé)任。如有侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)來(lái)信通知?jiǎng)h除。
聯(lián)系信息
