3Ctest元器件半導體靜電放電發(fā)生器HBM/MM EDS 10IC
3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(EDS 10IC靜電放電發(fā)生器針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設計，可以對LED、晶體管、IC等半導體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應標準的要求，同時完全滿足上述所有標準中嚴酷等級的靜電電壓要求。
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3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(特點：
全新三代控制平臺 ，觸摸屏智能化控制。
自動識別阻容模塊，并調(diào)整大電壓。
低電壓5V，1V步進調(diào)節(jié)電壓
可完成單次或自動放電測試，可設置次數(shù)、頻率等參數(shù)。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS-001-2010
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
技術(shù)參數(shù)
HBM 短路電流參數(shù)
放電電容 100 pF
放電電阻 1500 Ω
峰值電流Ips 0.17 A +10% @250 V
0.33 A +10% @500 V
0.67 A +10% @1000 V
1.33 A +10% @2000 V
2.67 A +10% @4000 V
上升時間 2 ns~10 ns
脈沖寬度 150 ns + 20 ns
振鈴幅度 <15%峰值電流
HBM 500歐電阻電流參數(shù)
峰值電流Ipr 375 mA~550 mA @ 1000V
1.5 A~2.2 A @ 4000V
Ipr/Ips ≥ 63%
上升時間 5 ns~25 ns
MM短路電流參數(shù)
放電電容 200 pF
放電電阻 0 
峰值電流Ip1 0.44 A +20% @25 V
0.88 A +20% @50 V
1.75 A +10% @100 V
3.5 A +10% @200 V
7.0 A +10% @400 V
Ip2/Ip1 67%~90%
周期 66 ns~90 ns
MM 500歐電阻電流參數(shù)
峰值電流Ipr 0.85 A~1.2 A @ 400 V
100 ns電流值 I100 0.23 A~0.40 A @ 400 V
I200/I100 30%~55 |
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