報廢pcb板回收電路板 1、性能比較:V-
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要先進行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
2、接口差別:
NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。
NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)。
3、容量和成本:
NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲。
4、可靠性和耐用性:
A) 壽命(耐用性)
在NAND閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
B) 位交換
在某些情況下(很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多)，一個比特(bit)位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。
位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。
這個問題對于用NAND存儲多媒體時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他時，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確�？煽啃浴� |
|
手機站
您當前位置是：產(chǎn)品大全 >> 電子元器件 >>
集成電路(IC)
免責聲明：以上所展示的信息由會員自行提供，內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責，www.qy6.com對此不承擔任何責任。如有侵犯您的權(quán)益，請來信通知刪除。
聯(lián)系信息
