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易恩電氣功率器件圖示系統(tǒng)ENJ205-C 易恩電氣功率器件圖示系統(tǒng)ENJ205-C//易恩電氣功率器件圖示系統(tǒng)ENJ205-C

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公 司: 西安易恩電氣科技有限公司 
發(fā)布時(shí)間:2020年09月01日
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公 司:西安易恩電氣科技有限公司

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詳細(xì)說(shuō)明

    ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管圖示系統(tǒng),系統(tǒng)IV曲線自動(dòng)生成,也可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試,直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立,保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。提供在線故障判斷,遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試。通過(guò)USB或者RS232與電腦連接,以及人機(jī)界面操作,即可完成測(cè)試,并實(shí)現(xiàn)結(jié)果以Excel和Date的格式保存。

系統(tǒng)支持 Si 器件和 SiC 器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

ENJ2005-C 功率器件圖示系統(tǒng)


測(cè)試參數(shù):

漏電參數(shù):IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

擊穿參數(shù):BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO

增益參數(shù):hFE、CTR、gFS

導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

關(guān)斷參數(shù):VGSOFF

觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT

保持參數(shù):IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù):IL、IL+、IL-

混合參數(shù):rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

間接參數(shù):IL

配置規(guī)格:

配置

規(guī)格/環(huán)境
主極電壓

1mV-2000V 尺 寸 450×570×280(mm)
電壓分辨率

1mV 質(zhì) 量 35kg
主極電流

0.1nA-100A 工作電壓 200V-240V
擴(kuò)展電流

/ 電源頻率 47Hz-63Hz
電流分辨率

0.1nA 工作溫度 25℃-40℃
測(cè)試精度

0.2%+2LSB 通信接口 RS232 USB
測(cè)試速度

0.5mS/參數(shù) 系統(tǒng)功耗 <150w
測(cè)試范圍:

01

二極管 / DIODE

02

晶體管 / NPN型/PNP型

03

J型場(chǎng)效應(yīng)管 / J-FET

04

MOS場(chǎng)效應(yīng)管 / MOS-FET

05

雙向可控硅 / TRIAC

06

可控硅 / SCR

07

絕緣柵雙極大功率晶


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