一 概述
內(nèi)部集成了電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸出過壓保護(hù)、周期式過流保護(hù)、過載保護(hù)、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的*佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。PN8160為需要超低待機(jī)功耗的高性價比反激式開關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個先進(jìn)的實(shí)現(xiàn)平臺，非常適合六級能效、CoC Tier 2應(yīng)用。
二 產(chǎn)品特征
■ 內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率
■ 自適應(yīng)PWM開關(guān)頻率65/85kHz，減小變壓器體積
■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻
■ 高低壓腳位兩側(cè)排列提高安全性
■ 內(nèi)置高壓啟動，空載待機(jī)功耗 < 50 mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)
■ 供電電壓8~40V，適合寬輸出電壓應(yīng)用
■ 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償
■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能
?? 過溫保護(hù) (OTP)
?? 輸出過壓保護(hù)
?? 逐周期過流保護(hù) (OCP)
?? 輸出開/短路保護(hù)
?? 專利的DMG電阻開/短路保護(hù)(Latch模式)
?? 次級整流管短路保護(hù)
?? 過負(fù)載保護(hù)（OLP）
三 應(yīng)用領(lǐng)域
■ 待機(jī)電源
■ 開放式開關(guān)電源
■ 適配器
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