原生多晶硅具有灰色金屬光澤。密度2.32-2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混
酸中,不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上
即有延性，1300℃時顯出明顯變形。
常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎
任何材料作用。
具有半導體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導電性。電子工業(yè)
中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。由干燥
硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下反應（氯化），再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。 多晶硅是單質(zhì)硅的
一種形態(tài)。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，用于（是）半導體行業(yè)和太陽能。從目前來講，要使太陽能
發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。
多晶硅技術(shù)指標：電阻率>100Ω·cm(N型），電阻率>1000Ω·cm(P型）；少子壽命>25μs;C<1ppma.
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